PD-BVC類鑽膜機-不同設備比較

  • 不同DLC設備成膜方法比較
成膜原理 陰極電弧法 電漿化學氣相沈積 非平衡磁控濺鍍
ARC Plasma CVD UBMS
成膜原料 固體碳 C2H2 (氣體) 固體碳
成膜溫度 ~400 ~200 ~250
膜組成 可能無氫 含氫 可能無氫
摩擦係數 0.2~0.5 0.1~0.2 0.1~0.2
硬度 2000~8000 1500~6000 1000~2000
表面粗度 尚可(Ra~10um) 佳(Ra~0.02um) 可(Ra~0.1um)
附著力 佳 佳 弱
絕緣性 佳 可 Me-DLC為導電

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